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Artigo de periodico
Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells (2009)
Morais, R R O; Dias, I F L; Silva, M A T da; Cesar, D F; Duarte, J L; Lourenço, S A; Laureto, E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 21, n. 15, p. 155601/1-155601/7, 2009Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Silva, M. A. T. da, Cesar, D. F., Duarte, J. L., Lourenço, S. A., et al. (2009). Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, 21( 15), 155601/1-155601/7. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Silva MAT da, Cesar DF, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 15): 155601/1-155601/7.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Silva MAT da, Cesar DF, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 15): 155601/1-155601/7.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
Trabalho de evento-resumo
Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike (2007)
Cesar, D F; Duarte, J L; Dias, I F L; Laureto, E; Lopes, E M; Frachello, F; Lamas, T. E.
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
CESAR, D F et al. Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Cesar, D. F., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Laureto, E., Lopes, E. M., Frachello, F., & Lamas, T. E. (2007). Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf
NLM
Cesar DF, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Lopes EM, Frachello F, Lamas TE. Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf
Vancouver
Cesar DF, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Lopes EM, Frachello F, Lamas TE. Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power (2007)
Lopes, E M; Duarte, J L; Dias, I F L; Poças, L C; Laureto, E; Cesar, D F; Lamas, T. E.
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
LOPES, E M et al. Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Lopes, E. M., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Poças, L. C., Laureto, E., Cesar, D. F., & Lamas, T. E. (2007). Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf
NLM
Lopes EM, Duarte JL, Dias IFL, Poças LC, Laureto E, Cesar DF, Lamas TE. Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf
Vancouver
Lopes EM, Duarte JL, Dias IFL, Poças LC, Laureto E, Cesar DF, Lamas TE. Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf

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